» » » Новый материал на базе графена обещает скачок развития полупроводников

Новый материал на базе графена обещает скачок развития полупроводников

Технологии:
Новый материал на базе графена обещает скачок развития полупроводников

Графен продолжает удивлять ученых все новыми гранями своего «таланта». На сей раз речь идет об использовании сверхпроводимого одноатомного слоя углерода, используемого для создания двухмерных материалов, которые найдут свое воплощение в лазерах, датчиках и электронике нового поколения.

Материаловеды Пенсильванского университета впервые синтезировали двухмерный нитрид галлия путем инкапсуляции графена. В результате материал получил великолепные электронные свойства и прочность.

Многомерный нитрид галлия еще известен, как широкозонный полупроводник, дающий возможность электронным устройствам работать при гораздо больших напряжениях, частотах и температурах, чем обычные полупроводники. Выращивание нитрида галлия в двухмерной форме с помощью графена уплотняет структуру, превращая ее в широкозонные полупроводники с большим запасом возможностей.

Материал с графеновым покрытием работает во всем диапазоне ультрафиолетового спектра, что создает перспективы использования его в лазерах и других электронно-оптических приборах.

Для выращивания графена исследователи использовали подложку из карбида кремния, что создало идеально гладкую поверхность при соприкосновении с другими материалами.

Атомы галлия располагаются между двумя слоями графена, а добавленный азот инициирует химическую реакцию, в результате которой формируются ультратонкие листы нитрида галлия с инкапсулированным графеном.

Просмотров
465
01 сентябрь 2016, 8:42